Hva er effekten av elektrostatisk utladning på LED-triofroof lyskildekomponenter

I moderne belysningsteknologi er lysdioder (lysemitterende dioder) mye brukt på grunn av deres høye effektivitet og lange levetid. Imidlertid utgjør elektrostatisk utladning (ESD) fenomener en betydelig trussel mot påliteligheten av lysdioder og kan føre til forskjellige former for svikt, inkludert plutselig svikt og latent svikt.

Plutselig svikt
Plutselig svikt refererer til muligheten for permanent skade eller kortslutning av lysdioder når de blir utsatt for elektrostatisk utslipp. Når en LED er i et elektrostatisk felt, hvis en av elektrodene er i kontakt med en elektrostatisk legeme og den andre elektroden er suspendert, kan enhver ytre interferens (for eksempel en menneskelig hånd som berører den suspenderte elektroden) danne en ledende sløyfe. I dette tilfellet vil LED bli utsatt for en spenning som overstiger den nominelle nedbrytningsspenningen, noe som resulterer i strukturell skade. Plutselig svikt vil ikke bare redusere produktets avkastningsfrekvens, men vil også øke produksjonskostnadene for bedriften direkte og påvirke markedets konkurranseevne.

Latent fiasko
Elektrostatisk utladning kan også føre til latent svikt i lysdioder. Selv om det virker normalt på overflaten, kan ytelsesparametrene til LED gradvis forverres, manifestert som en økning i lekkasjestrøm. For galliumnitrid (GaN) -baserte lysdioder er de skjulte farene forårsaket av elektrostatisk skade vanligvis irreversible. Denne latente feilen utgjør en stor andel feil forårsaket av elektrostatisk utslipp. På grunn av påvirkningen av elektrostatisk pulsenergi, kan LED -lamper eller integrerte kretser (IC) overopphetes i lokale områder, noe som får dem til å bryte ned. Denne typen feil er ofte vanskelig å oppdage ved konvensjonell deteksjon. Imidlertid vil stabiliteten til produktet bli alvorlig påvirket, og problemer som døde lys kan oppstå senere, noe som vil forkorte levetiden til levetiden betydelig LED-trifiske lamper og forårsake økonomiske tap for kundene.

Intern strukturskade
Under den elektrostatiske utladningsprosessen kan elektrostatiske ladninger for omvendt polaritet akkumuleres i begge ender av PN -krysset til LED -brikken for å danne en elektrostatisk spenning. Når spenningen overstiger den maksimale toleransen for LED, vil den elektrostatiske ladningen utladet mellom de to elektrodene til LED -brikken på veldig kort tid (nanosekundnivå), og genererer mye varme. Denne varmen kan føre til at temperaturen på det ledende laget og PN-veikrysset lys-emitting lag inne i LED-brikken stiger kraftig til mer enn 1400 ℃, noe som resulterer i lokal smelting og dannelsen av små hull, som igjen forårsaker en serie feilfenomener som lekkasje, lysforfall, dødslys og kort krets.

Mikrostrukturelle endringer
Fra mikrostrukturens perspektiv kan elektrostatisk utladning forårsake smelting og dislokasjonsdefekter ved heterojunksjonsgrensesnittet til LED. For eksempel, i galliumarsenid (GAAS) -baserte lysdioder, kan elektrostatisk utladningsskade utløse dannelsen av heterojunksjonsgrensesnittdefekter. Disse feilene påvirker ikke bare direkte de elektriske og optiske egenskapene til LED, men kan også gradvis utvide under etterfølgende bruk, noe som forårsaker ytterligere nedbrytning av enhetens ytelse.